OES 電漿（氣體）光譜檢測
| 波長範圍(Wavelength)：UV-VIS, VIS-NIR |
| 狹縫(Slit)：10 ~ 200 um |
| 光纖(Fiber)：200um, 400um, 1000um |
| 軟體(Software)：HMTOptics |
OES（Optical emission spectroscopy）主要為診斷(Diagnosis)電漿中會放光之成份，其檢測方式是以Collimator將電漿內受激原子、離子、分子之放光訊號聚焦到光纖，再將光訊號由光纖導入光譜儀中，由光譜儀分析光譜。
電漿放光之成因為：當氣體原子或分子因電子撞擊而達到不穩定的高能階狀態，隨即這些被激發的氣體分子馬上回到低能階的位置（基態），而呈現穩定狀態，在氣體分子由高能階狀態返回低能階的同時，會釋放出相當能量的光子(Photon)，其中放光成份大部份為受激之原子及受激之分子（主要為雙原子分子 e.g. N2），而受激之離子(e.g. Al+)與受激之多原子分子(e.g. CH4)所放之光強度則極微弱。
由於OES技術為非侵入(Non-intrusive)式量測，極適合診斷電漿。
然電漿組成相當複雜，其中包括有原子(e.g. H、Ar、Al)、離子(e.g. Ar+ 、H+ )、電子、分子(e.g. N2 、C2H2)、自由基(Free Radical, e.g.C2、 CH、OH、CN、NO、CO、NH、CH3)……等。而會放光的成份皆可採用該設備進行檢測。
電漿放光之成因為：當氣體原子或分子因電子撞擊而達到不穩定的高能階狀態，隨即這些被激發的氣體分子馬上回到低能階的位置（基態），而呈現穩定狀態，在氣體分子由高能階狀態返回低能階的同時，會釋放出相當能量的光子(Photon)，其中放光成份大部份為受激之原子及受激之分子（主要為雙原子分子 e.g. N2），而受激之離子(e.g. Al+)與受激之多原子分子(e.g. CH4)所放之光強度則極微弱。
由於OES技術為非侵入(Non-intrusive)式量測，極適合診斷電漿。
然電漿組成相當複雜，其中包括有原子(e.g. H、Ar、Al)、離子(e.g. Ar+ 、H+ )、電子、分子(e.g. N2 、C2H2)、自由基(Free Radical, e.g.C2、 CH、OH、CN、NO、CO、NH、CH3)……等。而會放光的成份皆可採用該設備進行檢測。
